華虹半導體（無錫）申請晶圓測試缺陷芯片標記專利，提升芯片缺陷標記效率

金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知識產權信息顯示，華虹半導體（無錫）有限公司申請一項名爲“晶圓測試缺陷芯片標記方法、裝置和存儲介質“，公開號 CN202410635920.4，申請日期爲 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本申請涉及半導體集成電路製造技術領域，具體涉及一種晶圓測試缺陷芯片標記方法、裝置和存儲介質。方法包括：對晶片進行晶圓測試；獲取第一缺陷圖案 Map 圖；基於第一缺陷圖案 Map 圖判斷第一缺陷圖案是否爲弧狀線條缺陷；確定第一缺陷圖案爲弧狀線條缺陷時，基於第一對應關係擬合生成第二缺陷圖案函數；拓展第一方向座標 A 集合爲第一方向座標 B 集合；將第一方向座標 B 集合中的各個第一方向座標 B 值帶入第二缺陷圖案函數中分別計算得到對應的第二方向座標 B 值並取整得到第二方向座標 C 值；生成第二座標信息，確定第二座標信息對應的所有缺陷芯片形成第二缺陷圖案；對第二缺陷圖案上各個缺陷芯片和缺陷芯片周圍的芯片進行缺陷標記。

本文源自：金融界

作者：情報員