先進封裝 提高載板技術要求

臺積電、英特爾等半導體巨頭正致力於開發多種先進封裝技術，例如臺積電的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）和英特爾的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）與Foveros 3D封裝技術。

產業界人士指出，這些技術已逐漸成爲高性能晶片的關鍵解決方案。

隨着先進封裝技術進步，對載板技術的要求也隨之提升。因晶體管數量增加、記憶體密度需求提升，載板尺寸預計會變得更大。

在材料方面，業界正考慮以更高強度、更高散熱性能的材質替代傳統的材料，以應對先進封裝對溫控和訊號完整性的高需求。

業者分析，因應電晶體數量提高，加上高頻寬記憶體（HBM）容量增加，載板尺寸也會相對應放大，預期未來大尺寸產品面積往100*100mm甚至120*120mm接近。

而載板面積放大，將增加產品平整度要求，使核心材料改變納入討論，如Low CTE玻布或玻璃核心基板（Glass Core）等，其中，玻璃基板目前處於開發階段，未來需要玻璃、機臺等供應鏈一起投入開發。