EV Group推無光罩微影技術 攻先進封裝市場

微機電系統（MEMS）、奈米科技與半導體市場的晶圓接合暨微影技術設備廠EV Group（EVG）今日發表具革命性的次世代微影MLE（Maskless Exposure）技術，能滿足先進封裝、微機電系統、生物醫學及高密度印刷電路板（PCB）等應用在未來後段微影製程的各種需求。

MLE是全球首創爲量產環境提供高擴充性的無光罩微影技術，除了結合高解析度的電路圖案成形（patterning）、高傳輸量與高良率等特色外，還可消弭光罩衍生的各種高昂間接成本，例如光罩的管理與基礎設施的維護。此外，MLE更具備卓越的彈性，可大幅縮短新元件的開發週期。

MLE技術透過採用緊密整合羣聚式寫入頭（write-head）組態，及多重波長高功率紫外線光源，不僅能容納各種大小晶圓及大尺寸面板，還能支援所有市售的光阻劑。

此外，製程產出量不受電路配置的複雜度及解析度影響，且MLE不論使用何種光阻劑都能維持相同的電路圖案成形效能。MLE補足EVG現有微影系統產品線，針對各種在使用其他技術方案中面臨擴充性、擁有成本（CoO）及其他限制的新興應用的需求。

MLE技術目前正於EVG公司總部展示，並正在納入EVG新設備產品系列的階段，日後將於適當的時機對外發表。

EVG技術執行總監Paul Lindner表示，我們全新的MLE技術在各種後段製程微影應用將能發揮所長，且與其他需在效能與成本之間妥協的步進機（Stepper）等圖案成形技術不同，客戶再也不用爲了滿足後段圖案成形的需求，在解析度、速度、彈性與擁有成本之間做出取捨。

Paul Lindner指出，透過與許多試用客戶共同進行的初期研發成果，已證實MLE技術的應用範圍相當廣泛且數量正持續增加。在此獨特曝光技術從研發階段邁入成爲首款產品之際，我們期盼能與業界更多的公司合作，以支援更廣泛能受益於MLE技術的新元件與應用。

異質整合逐漸成爲半導體研發與創新的驅動力，影響範圍遍及先進封裝、微機電系統及PCB市場，使後段製程微影的需求也持續升高。例如在先進封裝方面，因爲線寬／線距（L／S）越來越微縮，因此對重分佈層（RDL）與中介層的最低解析度要求也越來越嚴苛。

在某些情況下，當接近或小於2微米時，晶粒配置的變化及採用具成本效益的有機基板會需要在電路圖案成形時擁有更高的彈性。此外，對於更高疊層（overlay）精準度與垂直側壁電路圖案成形之高景深的要求也持續升高。

其他像是降低扇出型晶圓級封裝（FoWLP）中的圖案扭曲與晶粒偏移，及支援厚的與薄的光阻劑，都是當前與未來先進封裝微影系統可能會面臨的新需求。

在微機電系統製造方面，由於產品組合相當複雜，光罩（mask）／微縮成像光罩（reticle）的間接成本對擁有成本的影響力持續提高，因此良好的對焦控制成爲溝槽區電路圖案成形的關鍵。在PCB與生物醫學市場，各界則要求越來越高的電路圖案彈性，以因應大範圍的電路與基板尺吋。