日媒拆解華為手機：中晶片技術 僅落後臺積電3年

日本半導體調查企業拆解華爲手機後表示，中國已經迎頭趕上，晶片技術實力僅落後臺積電三年。圖爲民衆在福州一家華爲手機專賣店挑選手機。(中新社)

美國一直在限制中國發展高階晶片技術，對華爲的出口禁令更是已經持續了5年。然而日本半導體調查企業拆解華爲手機後表示，中國已經迎頭趕上，晶片技術實力僅落後臺積電3年。

日本經濟新聞報導，日本半導體調查企業TechanaLye比對了華爲兩款手機晶片，分別是2024年的最新款旗艦機Pura 70 Pro和2021年的一款智慧型手機。

該社長清水洋治表示，Pura 70 Pro的晶片處理器「麒麟9010」由海思半導體設計、中芯國際採用7奈米制程量產；2021年的晶片處理器「麒麟9000」同樣由海思設計，並由臺積電採用5奈米制程量產。儘管這兩款晶片的製程不同，最終產出的晶片面積卻沒有顯著差異，處理性能也基本相同。

清水洋治指出，這代表中芯國際的7奈米制程已經能夠發揮與臺積電5奈米制程相當的性能，顯示中芯國際的技術實力已經縮小到僅落後臺積電3年的程度，同時這也凸顯了海思在設計能力上有更進一步的提升。

儘管中芯國際在良率上與臺積電仍存在差距，清水洋治認爲，在尖端技術的競爭中，臺積電想要遠遠甩開中國企業變得更加困難。

除了技術上的進步外，清水洋治還指出，Pura 70 Pro除了儲存晶片和感測器之外，還搭載了支持拍攝、電源、顯示器功能等共37個半導體，海思負責其中的14個、其他中國企業則分擔了18個，非中國製的晶片僅有SK海力士的DRAM和博世的運動感測器等5個，換句話說，86%的半導體來自於中國。

國際半導體產業協會指出，中國爲了應對美國的管制措施，正在積極擴大成熟製程晶圓產能，預計今年中國晶圓廠整體產能年增14%，到2025年這一數字將再增長15%，約佔全球整體晶圓產能的30%。

清水洋治總結：「到目前爲止，美國政府的管制只是略微減慢了中國國的技術創新，但推動了中國半導體產業的自主生產。」