摩根士丹利:DRAM將迎供需失衡“超級週期” 明年標準型DRAM供應缺口高達23%
《科創板日報》12日訊,摩根士丹利指出,由於近年來DRAM廠新增產能有限,疊加HBM消耗大量產能,DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級週期”,明年標準型DRAM供應缺口高達23%,將比HBM更缺,爲近年罕見,價格將一路上漲。大摩調升今年第三季DRAM和NAND芯片價格漲幅預估,由原預期8%和10%,上調至13%和20%,調升幅度高達六成以上。
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