大摩：DRAM迎「超級週期」 南亞科、威剛等營運吞補丸

DRAM示意圖。 美聯社

AI應用百花齊放，帶動記憶體需求大增，惟過去兩年記憶體廠資本支出不足，加上國際大廠大力投入高頻寬記憶體（HBM）消耗龐大產能，導致標準型DRAM供應銳減，外資摩根士丹利高喊，DRAM正迎來前所未有的供需失衡「超級週期」，標準型DRAM供應缺口更甚於HBM、高達23%，價格將一路上漲。

大摩預期，本季DRAM價格漲幅將比預期高至少六成，爲這波DRAM「超級週期」暖身。業界看好，隨着DRAM迎來「超級週期」，價格漲勢比預期更強，南亞科（2408）、威剛（3260）、十銓（4967）等臺廠營運吞大補丸。

DRAM迎來超級週期

瑞銀證券最新報告也認同國際DRAM大廠搶攻HBM，造成標準型DRAM產能排擠效應，將推升產業邁向上升週期，給予南亞科買進評等，目標價85元。

大摩、瑞銀均強調三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠全力進擊HBM帶來的產能消耗與排擠標準型DRAM產出的效應，透露「HBM擠壓標準型DRAM產能，導致標準型DRAM市況一路向上」已成爲外資圈共識。

大摩分析，每單位HBM位元產出所需的晶圓容量，是標準型DRAM的兩倍，加上現階段HBM良率遠低於標準型DRAM，將消耗更多的現有產能，而前兩年DRAM廠資本支出普遍偏低，新增產能有限，在HBM大舉消耗DRAM廠現有產能下，預計明年標準型DRAM缺口高達23%，爲近年罕見，也使得DRAM價格將一路上漲。

大摩認爲，隨着過去兩年記憶體廠嚴格控管資本支出，導致當下沒有新的晶圓廠或大規模晶圓可用，加上HBM產能排擠效應，爲DRAM市場2025年迎來前所未有的供需失衡「超級週期」提供強大動力。

大摩分析，即便HBM供應也缺，但明年缺口僅約11%，遠低於標準型DRAM供應缺口高達23%。

大摩並調升今年第3季DRAM和NAND晶片價格漲幅預估，由原預期8%和10%，上調至13%和20%，調升幅度高達六成以上，顯示DRAM和NAND的供需緊張態勢。

南亞科、威剛等臺灣DRAM相關業者也按贊後市。南亞科認爲，隨着國際DRAM大廠產能大量往HBM與DDR5挪移，DDR4等標準型記憶體市場將逐季好轉，價格也會逐季改善。

南亞科分析，HBM現階段佔整體DRAM位元比重約低於5%，但消耗的產能大於5%，產能排擠效應顯現，即便南亞科並未投入HBM製造，也會受惠標準型產品價格上漲，爲業績增添柴火。

威剛也看好今、明年DRAM市況，董座陳立白認爲，除了DDR5價格續漲外，DDR4待庫存去化告段落，價格也將從8月開始進入第二波漲勢，漲幅至少30%以上。

十銓則說，下半年DDR5漲幅有機會達雙位數，DDR4與同業看法一致，漲幅上看三成。

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