「盤中寶」明年供應缺口或超20%，產能排擠效應有望掀漲價潮，機構稱該細分半導體正迎來前所未有供需失衡“超級週期”，這家企業積極佈局研發相關配套產品

財聯社資訊獲悉，行業媒體報道，供應鏈透露，已接獲三星通知，其高頻寬存儲器（HBM）產品HBM3e通過英偉達（NVIDIA）認證，預計本季開始供貨，並將提撥高達三成既有DRAM產能生產HBM3e，造成龐大的產能排擠效應，“要趕緊備貨（DRAM）”，料將引爆DRAM漲價潮重頭戲，南亞科、威剛、十銓等臺廠坐享漲價利益。業界分析，三星是全球存儲器龍頭，DRAM市佔高達45%以上，以三星擬提撥三成產能生產HBM3e換算，全球現有超過13%的DRAM產能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，導致DRAM市場供給更緊俏。

一、服務器需求復甦，第三季DRAM均價將持續上揚

根據TrendForce集邦諮詢最新調查顯示，由於通用型服務器(generalserver)需求復甦，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第三季DRAM均價將持續上揚。

摩根士丹利指出，由於近年來DRAM廠新增產能有限，疊加HBM消耗大量產能，DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級週期”，明年標準型DRAM供應缺口高達23%，將比HBM更缺，爲近年罕見，價格將一路上漲。此外，大摩調升今年第三季DRAM和NAND芯片價格漲幅預估，由原預期8%和10%，上調至13%和20%，調升幅度高達六成以上。

二、相關上市公司：聚辰股份、精測電子

聚辰股份是業內少數擁有完整SPD產品組合和技術儲備的企業，擁有存儲類芯片、音圈馬達驅動芯片和智能卡芯片三條主要產品線。參股公司武漢喻芯專注於NAND及DRAM存儲器研發。中銀國際研報指出，AI浪潮下公司積極佈局DDR5內存模組配套SPD、汽車電子等高附加值應用領域，緊密研發NORFlash、閉環和OIS音圈馬達驅動芯片等新品。

精測電子在半導體光學、半導體電子光學及泛半導體領域積極進行項目研發，在DRAMRDBI測試設備、CP/FTATE設備等方面積累了大量經驗，形成了較好技術沉澱。

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