英特爾導入High NA EUV 先用不見得先贏

英特爾宣佈率先導入天價高數值孔徑極紫外光顯影設備（High NA EUV）之後，臺積電（2330）何時導入最新微影設備一直是市場焦點，業界人士分析，最新High NA EUV報價達4億歐元，「先用不見得先贏」，重要的是，客人願不願意接受與成本能否快速轉爲獲利。

業界分析，High NA EUV新一代相較當前 EUV 設備1.5億歐元，造價與成本大幅提高1.66倍，各大廠何時使用，取得後如何平衡生產與成本都是各界關注焦點。

從成本角度上，業界分析，High NA EUV若能又快又好又準且具性價比之下，商用纔有加速可能，畢竟以新款EUV價格換算，若開光罩模具換算一片成本恐1,000萬，若30層光罩則要3億元，恐怕要財大氣粗、大金主的客人才花得起光罩費，光是這部分，就是轉進新設備的瓶頸。

此外，半導體先進製程持續推進，業界從3奈米已明顯感受到成本上升的壓力，不僅2奈米晶圓代工報價恐高達3萬美元（摺合新臺幣約93.28萬元），較3奈米近約2萬美元成長50%，創下新天價。

業界推測，若發展至1奈米等級以下埃米制程，報價恐上看5-6萬美元天價，將讓率先轉進使用的大廠愈來愈少，成本控制成爲當務之急。

先進晶圓廠成本增加，主因下世代EUV微影設備系統數量增加，大幅提高每片晶圓和每單位晶圓成本。