三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備

《科創板日報》20日訊，三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成爲三星電子DS部下屬三大事業部（存儲器、系統LSI和Foundry）的共同核心研發基地，到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線，該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具，旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。