武漢北極芯微電子申請半導體器件及其形成方法專利，使光生載流子引發雪崩效應產生雪崩電流

金融界2024年12月12日消息，國家知識產權局信息顯示，武漢北極芯微電子有限公司申請一項名爲“半導體器件及其形成方法”的專利，公開號 CN 119108448 A，申請日期爲 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本公開實施例提供了一種半導體器件及其形成方法。其中，半導體器件包括：第一功能層以及分別位於所述第一功能層頂表面和底表面的第一吸收層和雪崩層；所述第一吸收層，用於吸收光子併產生光生載流子；所述第一功能層，用於將未被第一吸收層吸收的光子重新反射回第一吸收層，並將所述第一吸收層產生的光生載流子傳輸至所述雪崩層；所述雪崩層，用於使進入其中的所述光生載流子引發雪崩效應，產生雪崩電流。

本文源自：金融界

作者：情報員