物元半導體申請半導體器件製造方法專利，可保證器件較低的導通電阻

金融界2024年10月31日消息，國家知識產權局信息顯示，物元半導體技術（青島）有限公司申請一項名爲“半導體器件的製造方法及半導體器件”的專利，公開號CN 118841314 A，申請日期爲2024年6月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種半導體器件的製造方法及半導體器件，其中，半導體器件的製造方法至少包括以下步驟：提供一半導體襯底，在半導體襯底上形成N‑外延層；在N‑外延層中形成由表面打開至內部的至少兩個溝槽；通過第一次外延填充在溝槽內形成本徵填充層，本徵填充層覆蓋溝槽的底部和側面；通過至少一次外延填充形成覆蓋本徵填充層的至少一層P型填充層，至少一層P型填充層將剩餘的溝槽部分填滿；執行退火工藝，以使P型填充層中的P型雜質向本徵填充層擴散但不越過本徵填充層與N‑外延層的邊界。通過該半導體器件的製造方法可以避免雜質直接擴散至N型區而影響N型區的寬度，保證了器件較低的導通電阻。

本文源自：金融界

作者：情報員