臺版晶片法 研發經費門檻 擬訂50～100億

產創條例第10條之2三大門檻與外界意見

臺版晶片法案的產創條例10條之2已完成三讀，研發費用、研發密度、有效稅率訂爲適用優惠減稅的三大必備門檻，其中研發費用更連動研發密度。據透露，研發經費門檻將訂在50億至100億元，研發密度則會落在5％至7％之間。

據瞭解，財經兩部正爲此角力，也對定義及門檻傷透腦筋，深怕門檻訂太高、變成臺積電獨享，又怕門檻訂得太低、變成家家有獎，兩者都失去鼓勵意義。加上，財長未補實，督導賦稅的次長李慶華及賦稅署長許慈美二人13日雙雙屆齡退休，財經兩部無法快速展開研商。經濟部盼在3～4月內完成子法訂定，儘快公告上路。

知情官員透露，雖然研發費用、研發密度尚未定案，但先前財政部擬訂在100億，如此只有臺積電、聯發科、聯詠等6至7家業者符合條件。經濟部極力爭取後，財政部同意讓步，初步敲定研發費用門檻將訂在50億至100億元間，倘若門檻降低至50億元，包括聯電、日月光、南亞科、羣聯、瑞昱等近15家業者都可進安全名單。

第一個「研發費用」恐刷掉9成科技業者，而第二門檻「研發密度」是連動的，官員預期，恐怕再刷掉部分業者。「研發密度」是指研發支出佔營收淨額之比率，目前製造業平均爲3.2％，原本財政部有意訂在8％左右，但臺積電合併營收破2兆，未來幾年還會不斷長胖，其研發密度約達7～8％，一旦營收成長恐難達研發密度門檻，因此兩部會初步擬將研發密度比率訂在5％至7％。

至於有效稅率門檻，2023年應達12％，2024年審酌OECD全球企業最低稅負制情形調整緩衝一年，2025年起一律調整至15％。

外界擔心，產創10條之2會變成半導體產業或少數業者獨享之法案。經濟部強調，適用要件規模與相關名詞定義在子法訂定，也會參考國內外產業發展狀況、主要上市櫃公司研發經費及產業研發密度，並蒐集產業界意見及聽取產官學研專家意見來訂定。

產創條例第10條之2符合適用要件者，可享有前瞻創新研發投資抵減，當年度抵減率爲25％；購置用於先進製程之設備投資抵減，當年度抵減率爲5％，且支出金額無上限；二者合計抵減稅額不得超過當年度應納營所稅額50％。