三星豪語 2027量產1.4奈米

臺積電及三星晶圓代工之技術比較

韓國三星電子在年度晶圓代工論壇宣佈，預計2025年2奈米將進入量產，2027年跨入1.4奈米，且先進製程產能至2027年將擴增2倍，包括高效能運算（HPC）、車用電子等非手機應用將佔整體產品組合的50％以上。

業內指出，三星晶圓代工技術藍圖時間表與臺積電相近，臺積電預計2025年2奈米開始量產，2027年進入下一代製程。

三星晶圓代工日前宣佈首款採用環繞閘極（GAA）電晶體架構的3奈米成功量產，並傳出正與高通、超微等大廠洽談合作，而未來技術推進將透過優化GAA架構技術，在2025年推出2奈米制程，2027年推出1.4奈米制程。

隨着小晶片（chiplet）設計及異質晶片整合的快速發展，三星宣佈將加速2.5D／3D異質整合先進封裝技術推進，其中包括採用微凸塊（micro bump）製程的3D先進封裝X-Cube會在2024年進入量產，無凸塊製程X-Cube先進封裝技術會在2026年推出。

三星晶圓代工計劃鎖定包括HPC、車用、5G、物聯網（IoT）等非手機相關應用市場，預期至2027年非手機應用將佔整體產品組合的50％以上，除了會針對手機及HPC運算推出強化版GAA架構3奈米制程，今後還會針對HPC及車用領域推出4奈米特殊製程以滿足客戶強勁需求。

在車用晶片部份，三星已經量產嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）的28奈米制程，2024年會推進至eNVM的14奈米制程，未來會再微縮至8奈米。再者，三星已完成14奈米及8奈米射頻（RF）製程量產，5奈米RF製程已展開研發。

三星晶圓代工宣佈到2027年先進製程產能將增加2倍，位於德州泰勒（Taylor）的晶圓廠已進入建廠階段。三星表示，在全球共擁有5個生產基地，分別位於美國德州奧斯汀（Austin）及泰勒，以及位於韓國器興（Giheung）、華城（Hwaseong）、平澤（Pyeongtaek）。

面對全球總體經濟不確定性，三星晶圓代工說明產能投資將採用Shell-First策略，亦即先完成晶圓廠無塵室的興建，之後再依市況進行晶圓廠設備安裝，以維持擴產的彈性並能符合市場實際需求變動。