三星否認將在HBM芯片生產中應用MR-MUF工藝
財聯社3月13日電,三星電子發佈聲明稱,關於三星將在其HBM芯片生產中應用MR-MUF(批量回流模製底部填充)技術的傳言並不屬實。早些時候有報道稱,三星計劃採用SK海力士使用的MR-MUF封裝工藝,替代部分其目前採用的非導電薄膜(NCF)技術。
相關資訊
- ▣ 三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產,稱現有方案效果良好
- ▣ 英偉達CEO否認三星HBM芯片未通過任何英偉達測試
- ▣ 三星否認自家 HBM 內存芯片未通過英偉達測試,“正改善質量”
- ▣ 三星據悉計劃改用SK海力士的MUF封裝工藝
- ▣ 三星考慮將MUF技術應用於服務器DRAM內存
- ▣ 三星將於今年內推出3D HBM芯片封裝服務
- ▣ 三星HBM芯片通過英偉達測試
- ▣ 三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產,有望基於 4nm 工藝
- ▣ 三星計劃將 TC-NCF 用於 16 層 HBM4 內存生產,將推 HBM 定製
- ▣ 三星HBM芯片據稱通過英偉達測試
- 三星推出首款5nm工藝芯片Exynos 1080,vivo將首發
- ▣ SK海力士將於第三季度開始量產下一代HBM芯片
- ▣ SK海力士將在HBM生產中採用混合鍵合技術
- ▣ 三星電子據悉改組新設HBM芯片研發團隊
- ▣ SK海力士據悉將在HBM生產中採用混合鍵合技術
- ▣ 三星組建 HBM 產能質量提升團隊,加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發
- ▣ 艾森股份:旗下產品可用於HBM存儲芯片封裝
- ▣ 三星否認有關其HBM3e芯片通過主要客戶測試
- ▣ 三星將於2025年在其2納米工藝中引入背面電源技術 芯片面積最多減少19%
- ▣ 三星股價大漲,其HBM芯片據稱通過英偉達測試
- ▣ 傳未通過英偉達HBM芯片測試?三星:正與客戶密切合作優化產品
- 英特爾與美國國防部深化合作,採用 18A 工藝生產芯片
- ▣ 三星電子再獲大單,將爲日本Preferred Networks生產 2nm AI 芯片
- ▣ 三星對AI投資者吸引力仍顯不足 英偉達能否助其領先HBM芯片市場引質疑
- ▣ 《國際產業》換幫莫德納代工?三星生物製藥再否認
- ▣ 【特稿】英媒稱三星最新HBM芯片尚未通過英偉達檢測
- ▣ 三星發佈先進芯片工藝路線圖:新版2納米制程2027年量產 研發生產時間縮短20%
- ▣ HBM提產!三星預計今年產能將是去年的2.9倍
- ▣ 拜登芯片雄心又遭打擊:三星電子被曝將得州工廠生產推遲至2025年