三星產能大挪移 排擠效應掀漲價潮…DRAM族旺

供應鏈透露，已接獲三星通知，其高頻寬記憶體（HBM）產品HBM3e通過輝達（NVIDIA）認證，預計本季開始供貨。（美聯社）

供應鏈透露，已接獲三星通知，其高頻寬記憶體（HBM）產品HBM3e通過輝達（NVIDIA）認證，預計本季開始供貨，並將提撥高達三成既有DRAM產能生產HBM3e，造成龐大的產能排擠效應，「要趕緊備貨（DRAM）」，料將引爆DRAM漲價潮重頭戲，南亞科、威剛、十銓等臺廠坐享漲價利益。

業界分析，三星是全球記憶體龍頭，DRAM市佔高達45%以上，以三星擬提撥三成產能生產HBM3e換算，全球現有超過13%的DRAM產能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，導致DRAM市場供給更緊俏。

外資摩根士丹利認爲，DRAM正迎來前所未有的供需失衡「超級週期」，標準型DRAM供應缺口更甚於HBM、高達23%，價格將一路上漲。

伴隨消費性電子旺季來臨，在供給銳減、需求大增下，推升DRAM價格走勢可期，法人預期，南亞科、威剛、十銓等臺灣DRAM相關廠商將受惠。

HBM是AI伺服器關鍵記憶體元件，近期供不應求，惟三星在HBM發展遭二哥SK海力士超車。先前傳出三星送樣HBM產品給輝達未過關，如今三星捲土重來，有助舒緩HBM缺貨態勢，助力AI產業發展之際，對傳統DRAM產業也有重大意義。

臺灣記憶體廠均正向看待國際記憶體大廠大舉將產能轉向生產HBM產品，產生的產能排擠效應，導致DDR4、DDR5供給受限、價格上揚態勢。

南亞科總座李培瑛先前指出，HBM、DDR5供不應求，有望拉擡DRAM市況，預期南亞科下半年將維持全產能生產，以滿足市場需求。

李培瑛認爲，南亞科較有把握調漲DDR4價格，主因是三大原廠產能排擠下，將減少DDR4產出，預期將調整相關市場庫存，而在需求大於供給下，南亞科也會有較大的議價能力。

威剛董事長陳立白也對整體記憶體市況看法正向，他提到，目前上游原廠對價格態度依舊相當正向積極，產能配置以毛利率最高的HBM優先配置，之後纔是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利爲導向，看好除了DDR5價格續漲外，DDR4待庫存去化告段落，價格也將從8月開始進入第二波漲勢，漲幅至少30%以上。

十銓也預告，DDR5由於原廠的供給量不足，價格仍會持續微幅上揚，消費級AI應用將會於今年第4季後，隨着相關終端裝置新品陸續推出，將帶動需求上揚。

三星預計7月31日召開財報會議，也讓外界期待公佈相關HBM進度與後續產能規畫。外傳三星也已向供應鏈夥伴預告提早備貨，讓相關產能轉移至HBM生產的預期再增添可信度。

另外，南韓媒體報導，三星在HBM持續乘勝追擊，計劃以先進的4奈米制程，量產第六代高頻寬記憶體（HBM）晶片「HBM4」，直接槓上SK海力士與臺積電（2330）聯盟。另據分析師估算，三星電子半導體部門第2季銷售可能超越臺灣台積電，爲近兩年來首見。