羣聯支援美光64層3D NAND 搶先卡位主流製程
爲因應智慧行動儲存市場進入128GB、256GB等大容量需求，快閃記憶體控制晶片大廠羣聯（8299）正式宣佈eMMC/eMCP／UFS控制晶片將全系列支援美光64層3D NAND Flash，已準備次世代96層技術研發，不但協助客戶在智慧行動裝罝市場擴大產品戰線，亦爲客戶卡位車聯網商機作好準備。
2018年全球行動通訊大會(MWC)正式於本週登場，今年度的智慧新機內嵌式記憶體容量全面躍升至128GB、256GB的儲存容量等級。
從各國際品牌手機廠2018年將推出的旗艦機種來看，非蘋陣營的智慧新機內嵌式記憶體儲存容量規格提升至128GB，至於全球前兩大智慧型手機廠主攻之旗艦新機則不約而同皆搭載256GB的UFS內嵌式記憶體，宣告64層甚至更高層數的3D NAND Flash技術正式接棒成爲快閃記憶體的主流製程。
羣聯表示，3D NAND Flash透過垂直立體堆疊儲存單元的方式，突破了2D NAND Flash的物理極限，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，並可提升讀寫資訊之效能。
目前各大國際快閃記憶體制造大廠的3D NAND Flash製程演進來看，羣聯看好64層的3D NAND Flash將爲今年最大宗之主流技術，因此除了領先同業推出的可支援該製程技術的高速UFS控制晶片PS8313外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶片皆同步支援東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash。
另方面，進一步支援次世代的96層3D NAND Flash之先進製程技術的控制晶片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期完整的產品規劃滿足智慧行動裝置、車聯網等客戶擴大全球市場佈局之需求。