摩爾定律玩完了？兩大國殺進半導體下個主戰場
先進封裝已成大國的半導體戰略資源之爭的另一戰場。（示意圖/達志影像/shutterstock）
美國聯邦參議院6月8日通過「美國創新與競爭法」，將計劃爲半導體提供520億美元的緊急補充撥款，聚焦於半導體及通訊設備的生產與研究。美國商務部長雷蒙多5月24日曾指出，此520億美元半導體生產研發資金有望激發出1500億美元以上(包括來自州政府與民間企業的貢獻)的晶片生產及研發投資，進而爲美國帶來七～十座新半導體制造廠。
另由跨黨派參議員提出的「促進美國製半導體(FABS)」法案提到，海外生產晶片的成本差異，多達70％是由外國政府補貼，而非比較優勢所驅動，FABS將透過鼓勵美國晶片本土製造來縮小差距，並降低美國工人失去高薪工作及美國經濟風險。美國參議院民主黨籍金融委員會主席Ron Wyden及共和黨籍副主席Mike Crapo於6月17日提議，給晶片製造商25％的製造設備及設施投資稅收抵免，爲美國國內半導體制造業提供合理有目標性的獎勵措施。
若半導體減稅法案順利上路，相較其他產業仍面臨拜登加稅的風險，半導體未來獲利不僅不會下修，還有潛在的上修空間。一來一往下，半導體相對獲利成長性將比其他產業來的更強，有利增加市場調升半導體產業評價的可能性。目前正在美國亞利桑那州斥資120億美元興建五奈米晶圓廠的臺積電(2330)，就將成爲受惠者。
相較晶片製造，封裝被視爲較簡單的半導體次產業。但隨着先進製程延續摩爾定律已來到撞牆期，晶片製造廠未保持高性能提升趨勢，先進封裝的地位也就越來越重要。由於目前晶片封裝高度集中亞洲，積極本土化的美國當然希望自主進行。
日本經濟新聞報導，臺積電除了在美國興建五奈米先進製程晶圓廠外，也將配合美國政府需求在美國興建先進封裝廠，將採用最新3D堆疊技術，整合不同功能晶片提高更快及更好運算效能。
加速築起先進封裝護城河
無獨有偶，五月底日本產經省也表示，臺積電將在日本茨城縣筑波市設立研發據點，總經費約370億日圓，日本政府將出資總經費約五成予以支援，與日本約20家半導體相關廠商合作研發最先進半導體技術，開發強化晶片效能的3D封裝等技術，可見先進封裝已成大國的半導體戰略資源之爭的另一戰場。
臺積電目前在臺灣已設有四座自有先進封測廠區，主要提供晶圓凸塊、先進測試、3D封裝等業務，竹南正興建的第五座封測廠AP6，聚焦3D封裝及晶片堆疊等先進技術，系統整合單晶片(SoIC)也將於2022年下半年在竹南廠投產。第六座南科AP2C廠區則規劃作爲先進封裝基地，目前也在興建中。臺積電轉投資的封測廠精材(3374)則主要負責SoC的3D封裝 。
2022年量產SoIC先進封裝製程
臺積電SoIC將同時提供WoW及CoW兩種先進封裝製程，能夠同時堆疊同質或異質晶片並大幅提升系統效能，並且縮小產品晶片尺寸。七奈米晶圓WoW製程預計會在今年第四季完成認證；CoW製程研發持續進行，七奈米對七奈米的CoW堆疊製程預計也在今年第四季完成認證，五奈米對五奈米CoW堆疊製程則預期在2022年第三季準備就緒。
本文作者: 高適
(本文摘自《理財週刊1087期》)
《理財週刊1087期》