力旺NeoFuse矽智財導入聯電28奈米HV製程 搶攻OLED市場
聯電今（20）日表示，力旺電子一次可編程（OTP）記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓（HV）製程，強攻有機發光二極（OLED）市場，關鍵客戶已經完成設計定案（Tape Out）並準備量產。
力旺業務發展中心副總何明洲表示，非常開心與聯電在28奈米高壓制程的合作，因應OLED市場的需求，爲客戶帶來最大的價值。
聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示，力旺NeoFuse矽智財使我們的客戶得以客製化IC以符合OLED市場的高規需求。不管是之前的55奈米、40奈米到現在的28奈米高壓制程，聯電與力旺的合作成果都是非常正面的。
高階手機配備OLED顯示器已然成爲趨勢，對小尺寸顯示器驅動晶片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在製程平臺的選擇上，OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓制程靠攏。
28奈米高壓制程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能，提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度，更高容量的靜態隨機存取記憶體（SRAM）及更好的功耗，同時達到高畫質與省電的的目的。
聯電在2019年的SDDI量產晶圓出貨量爲全球之冠，其28奈米後閘式（Gate-Last） HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現，可以提升行動裝置的電池壽命，以此爲基礎，其28奈米高壓制程提供業界最小的SRAM記憶單位（Bit-cell）以減少晶片整體面積。
力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商，其NeoFuse矽智財爲各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案，已經廣泛布建於世界各大晶圓廠，從0.15um製程至先進製程節點均已布建。