円星開發臺積電28奈米嵌入式快閃記憶體制程IP
矽智財廠円星科技M31（6643）宣佈，將在臺積電28奈米嵌入式快閃記憶體制程技術 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發SRAM Compiler IP，預計於今年第3季提供客戶設計整合使用。
M31円星董事長林孝平表示，円星在臺積電領先業界的28奈米嵌入式快閃記憶體制程開發的IP，除了可以縮短設計週期，同時能降低SoC功耗並提高效能，可廣泛應用於高速的資料處理、電源管理，物聯網、車用電子，以及行動通訊等產品的設計上。
臺積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示，嵌入式快閃記憶體技術對於支援智慧行動，汽車電子和物聯網等廣泛應用至關重要。藉由M31與臺積電28奈米嵌入式快閃製程技術努力合作開發的IP，將有助於設計人員優化SoC，實現速度，面積和功耗之間的成功平衡。
此次M31以臺積電28奈米嵌入式快閃記憶體制程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全，支援多種節能模式, 使用者可依據不同操作狀態，切換到當下最佳省電模式，來延長行動元件電池的使用時間，以提供客戶更多元的產品運用。