HBM對DRAM廠貢獻 逐季揚

TrendForce於16日舉行「AI時代 半導體全局展開─2025科技產業大預測」研討會,並說明對記憶體後市的看法。

TrendForce指出,HBM市場仍處於高成長階段,由於各大雲端廠商持續布建AI伺服器,在GPU算力與記憶體容量都將升級下,HBM成爲其中不可或缺的一環,帶動HBM規格容量上升。

如NVIDIA Blackwell平臺將採用192GB HBM3e記憶體、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

由於HBM生產難度高、良率仍有顯著改善空間,推高整體生產成本,平均售價約是DRAM產品的三至五倍,待HBM3e量產,加上產能擴張,對三星、SK海力士及美光等DRAM廠商的營收貢獻,將逐季上揚。

在NAND Flash後市部分,TrendForce指出,NAND Flash供應商經歷2023年的鉅額虧損後,資本支出轉趨保守。同時,DRAM和HBM等記憶體產品需求,受惠AI浪潮的帶動,將排擠2025年NAND Flash的設備投資,使得過去嚴重供過於求的市況,將有所緩解。

隨着AI技術快速發展,NAND Flash市場正經歷前所未有的變革。AI應用對高速、大容量儲存的需求日益增加,長期而言,將推動enterprise SSD(eSSD)市場的蓬勃發展。