韓媒：ASML明年生產十臺2奈米EUV設備 英特爾傳搶下6臺

ASML的組裝工程師正投入EUV設備的組裝作業。路透

南韓科技媒體SamMobile報導，南韓三星電子執行董事長李在鎔上週訪荷蘭時，與半導體制造設備大廠艾司摩爾（ASML）簽訂合資建立研發設施的歷史性協議，將有助於三星進攻2奈米晶片的發展。報導同時指出，ASML計劃明年生產10臺能生產2奈米晶片的設備，而英特爾（Intel）據傳已經搶下其中的六臺。

SamMobile報導指出，ASML將在未來幾個月內推出生產2奈米晶片的設備，最新的EUV微影設備，預計將讓數值孔徑（NA）從0.33提高至0.55，讓光學系統的收光能力更強，將有助於晶片製造廠利用超精細圖案化技術來生產2奈米晶片。

報導說，ASML計劃明年生產十臺這款設備，而英特爾據傳已經買下其中的六臺。ASML計劃未來幾年要改善產能，年產20臺。

至於三星則計劃在取得2奈米晶片製造設備後，將在2025年底開始生產2奈米晶片。然而，就像任何技術和策略計劃一樣，這類晶片的推出時程也可能延後，取決於市況和製造品質。

SamMobile的報導指出，李在鎔從荷蘭回到南韓後，表示他對三星與ASML簽署的合資建立研發設施協議感到滿意。三星上週和ASML簽署以1兆韓元（7.55億美元）在南韓投資建立半導體晶片研發設施的協議，未來將在該設施研發EUV技術。

三星電子領導裝置解決部門的負責主管慶桂顯強調，該公司的最新協議有助於取得下一代高數值孔徑EUV微影設備。他說，「三星已經取得高數值孔徑設備技術的優先權。（從這趟旅程）我相信我們創造了機會，能優化利用高數值孔徑技術，長期有利於我們生產DRAM記憶體晶片和邏輯晶片」。

報導說，在即將設立、位於京畿道東灘的晶片研發設施，來自ASML和三星電子的工程師將合作改善EUV晶片製造技術。這項協議不是聚焦把2奈米晶片製造設備引入南韓，而是聚焦兩家公司的合作關係，以便讓三星能夠更好地利用下一代的設備。