2奈米機臺爭奪戰開打 ASML明年擬生產十臺設備

南韓三星電子將與荷蘭半導體制造設備大廠艾司摩爾合資，在南韓興建開發尖端半導體先進製程技術的設施。（路透）

臺積電（2330）、三星與英特爾在2奈米先進製程大比拚之際，新一波「搶關鍵機臺大戰」同步開打。南韓媒體披露，半導體先進製程微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）計劃明年生產十臺可生產2奈米晶片的設備，英特爾搶下高達六臺，暫居領先，加上三星也極力拉攏艾司摩爾，臺積電壓力不小。

南韓科技媒體SamMobile報導，隨着主要晶圓廠陸續釋出要在2025年開始生產2奈米晶片後，艾司摩爾將在未來幾個月內推出可生產2奈米制程晶片的設備，其最新極紫外光（EUV）微影設備預計將讓數值孔徑（NA）從0.33提高至0.55，讓光學系統的收光能力更強，有助晶圓廠利用超精細圖案化技術來生產2奈米制程晶片。

艾司摩爾是全球唯一能提供EUV設備的廠商，三星積極拉攏，日前已與艾司摩爾簽訂合資1兆韓元（7.55億美元）在南韓建立研發設施的歷史性協議，有助三星2奈米制程發展。三星規劃，取得2奈米制造設備後，將於2025年底開始生產2奈米制程晶片。

臺積電、三星、英特爾發展2奈米近況

三星領導裝置解決部門的負責主管慶桂顯強調，與艾司摩爾的新協議，有助三星取得下一代高數值孔徑EUV微影設備。他說，「三星已取得高數值孔徑設備技術的優先權。我相信我們創造了機會，能優化利用高數值孔徑技術，長期有利於生產DRAM和邏輯晶片」。

報導同時指出，艾司摩爾計劃明年生產十臺可生產2奈米制程晶片的設備，英特爾傳出已搶下其中六臺。艾司摩爾計劃未來幾年要提高年產能到20臺。

英特爾方面，其配合IDM 2.0策略，推行四年五個節點製程開發計劃。英特爾強調，旗下Intel 20A製程正按預計邁向量產準備的進度進行，Intel 18A製程則將按進度規畫，於明年首季移轉到進廠階段。

面對三星、英特爾來勢洶洶，臺積電也不是省油的燈。英國金融時報先前引述知情人士報導，臺積電已對蘋果和輝達等大客戶展示2奈米制程的原型測試成果。

臺積電先前於法說會中提到，預期2奈米制程將如期在2025年進入量產。臺積電的2奈米背面電軌（backside power rail）方案預定於2025年下半推出，2026年量產。

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