傳三星減少引進高數值孔徑EUV 與ASML合作陷停滯

三星上月初告知ASML，計劃減少引進下代高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）。圖／路透

韓媒BusienssKorea報導，三星電子去年12月與半導體制造設備龍頭艾司摩爾（ASML）簽署備忘錄，要打造極紫外光（EUV）共同研究中心。不料6個月後，這個合作計劃就大幅縮水。

三星上月初告知ASML，計劃減少引進下一代的高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）。三星在雙方高層會議時，傳達此一決定，預料很快會開始調整相關合約。

三星原本規劃，未來10年要添購超過3臺的下代EUV，包括EXE:5200、EXE:5400、EXE:5600。但如今只會引進EXE:5200，並將重新考慮後續機種的採用。副會長全永鉉（Jun Young-hyun）主掌裝置解決方案部門（DS）後，重新檢討了現行項目和投資，做出此一決策。

業內人士說，三星決定減少引進EUV後，在華城打造研究中心的相關程序完全喊停，共同研究中心會遷往其他地方，或是取消，將在未來討論決定。

然而，三星高層表示，引進High NA EUV的計劃並未改變，研發中心將在最適合地點建造。

三星與ASML合作，被認爲是取得先進EUV設備的策略。全球只有ASML一家公司能生產尖端EUV機臺。如果雙方減少合作，預料將影響南韓本土的半導體生態體系與有關產業。