《半導體》力積電切入CoWoS 看好2025年AI邊緣端需求

力積電銅鑼新廠今（2）日剪綵啓用，黃崇仁會後受訪時表示，力積電既有晶圓廠邏輯產線一部份是從DRAM產線改造，銅鑼新廠爲較純粹的邏輯晶圓廠，隨着公司切入CoWoS先進封裝領域及3D堆疊技術，銅鑼新廠對公司而言蠻重要的。

黃崇仁表示，全球晶圓廠中只有力積電同時擁有記憶體及邏輯製程，未來3D推疊技術整合邏輯晶片及記憶體，力積電在此部分的整合技術應屬領先。銅鑼廠區可分爲二期開發，並將重新加速記憶體技術研發。

黃崇仁指出，高頻寬記憶體（HBM）目前應用於伺服器端應用，力積電在邊緣端應用國際大廠合作，希望透過記憶體堆疊技術來增加頻寬加速，但成本較HBM便宜很多。目前已完成4層堆疊技術，並繼續做8層堆疊技術研發，這點是力積電在全球較先進且獨特的技術。

對於下半年展望看法，黃崇仁認爲現在較麻煩的，是美國和中國大陸的經濟都不是那麼出色。目前美國經濟狀況還好、但只有AI及科技獨強，中國大陸則都不太行，導致第二季市況復甦態勢遠不如預期快。

不過，黃崇仁認爲包括手機、筆電、PC等部分AI應用的需求將先出現，由於目前相關邊緣終端產品應用AI的速度不夠快，需有AI加速器協助，預期在邊緣應用端需求爆發下，2025年應該會是非常好的一年，力積電對此也已掌握商機。

由於AI發展對先進封裝需求大增，臺積電CoWoS先進封裝因中介層及oS（On Substrate）產能均不足，導致供不應求。力積電透露，既有竹科廠已可生產中介層、銅鑼新廠也會有相關業務，目前國際客戶已進入驗證階段，預期下半年可正式量產、月產能可達數千片。