ASML超驚嚇？俄羅斯7奈米驚人突破 泄國產EUV曝光時間

俄羅斯稱開發出替代曝光機的工具。（示意圖/達志影像/shutterstock）

俄羅斯企圖打破艾司摩爾（ASML）先進半導體設備獨佔地位！俄媒消息指出，俄羅斯號稱開發出可取代曝光機的晶片製造工具，甚至發下豪語，將於2028年研發出可生產7奈米晶片的曝光機，還可擊敗ASML同類產品。俄國目前普遍使用20年前的65奈米制程，正在興建28奈米晶圓廠。

俄羅斯國際新聞通訊社（俄新社）報導，聖彼得堡理工大學研發出一種「國產曝光復合體」，可用於蝕刻生產無掩模晶片，將有助於解決俄羅斯在微電子領域的技術主權問題。

科學家表示，這款晶片製造設備成本爲500萬盧布（約臺幣161萬元），而另一種工具的成本未知。

研究人員指出，相較於傳統曝光技術需要專門掩膜板來獲取影像，這款裝置更爲經濟、便利，透過專業軟體控制，實現完全自動化。該發明是「各種微電子裝置運行」所需的「奈米結構」工藝分兩階段進行，首先使用基礎掩模曝光機，然後利用矽等離子化學蝕刻機。

而另一款設備可直接形成奈米結構或製作矽膜，如用於艦載超壓感測器。

俄羅斯目前使用最普遍的技術是20年前的65奈米制程，但現在正積極興建28製程晶圓廠。

Tom's Hardware此前報導，俄羅斯大諾夫哥羅德策略發展機構（Novgorod Strategy Development）宣稱2028年將開發出可生產7奈米晶片的曝光機，並擊敗ASML同類產品，即ASML Twinscan NXT：2000i DUV。

俄羅斯科學院奈米結構研究所副所長Nikolai Chkhalo表示，近20年來ASML致力於發展EUV（極紫外光）曝光機，目標是讓頂尖半導體廠商保持極高的生產效率，但俄羅斯並不需要，只要根據國內的需求向前推進即可。