中芯7奈米驚人突破 1年前被挖猛料？外媒爆掌聲背後1致命傷

專家指出，中芯7奈米良率不到50%。（示意圖/達志影像/shutterstock）

華爲繞過美製裁，新旗艦機內建麒麟9000S晶片，採用中芯國際7奈米制程打造，引起市場轟動。外媒去年爆料，中芯出貨7奈米挖礦晶片，可能是複製臺積電7奈米技術。由於中芯使用深紫外光（DUV）舊設備生產7奈米晶片，良率低於50%，不如業界標準90%以上，良率不佳將衝擊生產規模，難以協助華爲搶回智慧機市場主導地位。

荷蘭半導體設備巨頭艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）微影設備，是打造7奈米和更先進製程的重要設備，雖然DUV不是最先進機臺，但對製造各種電子產品所需要的晶片來說，仍是不可或缺的。

路透報導，分析人士指出，中芯買不到EUV的情況下，只透過DUV能夠推進先進的7奈米技術，這項驚人突破的難度，凸顯中國晶片技術能力的韌性。

部分研究機構預測，中芯7奈米制程良率低於50%，不如業界正常標準90%以上，使得晶片出貨量限制在200萬至400萬顆左右，無法助攻華爲搶回智慧機市場主導地位。

投行傑富瑞（Jefferies）的分析師團隊認爲，華爲預估Mate 60 Pro出貨量爲1千萬支，但可能無法全部搭載中國製造的7奈米晶片，在這種情況下，華爲可能轉向10奈米晶片，預計良率只有20%，遠低於多數消費性產品的90%。

研調機構TechInsights去年7月發表報告指出，即使沒有艾司摩爾的先進製程極紫外光（EUV）微影設備，中芯也能生產7奈米挖礦晶片，並從2021年7月起開始出貨，且中芯7奈米可能是複製臺積電7奈米技術。