英特爾申請包括微結構薄膜電容器的襯底專利，能實現微電子襯底的相關創新

金融界2024年12月19日消息，國家知識產權局信息顯示，英特爾公司申請一項名爲“包括微結構薄膜電容器的襯底”的專利，公開號CN 119136656 A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本文公開了包括強化玻璃芯的微電子組件以及相關的裝置和方法。在一些實施例中，一種具有原位電容器的微電子襯底，所述電容器可以包括：第一導電層，所述第一導電層在第一表面處具有第一微結構；第二導電層，所述第二導電層在所述第一導電層上且在第二表面處具有第二微結構，其中， 所述第二微結構與所述第一微結構豎直互鎖；以及在所述第一微結構與所述第二微結構之間的高k電介質材料。

本文源自：金融界

作者：情報員