英飛凌擬投資逾20億歐元擴大馬來西亞居林前端工廠寬能隙半導體產能

英飛凌位於馬來西亞居林的前端製造基地鳥瞰圖。（圖／英飛凌提供）

英飛凌科技（Infineon）將大幅提升寬能隙（碳化矽SiC和氮化鎵GaN）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林（Kulim Malaysia）工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品，每年可爲英飛凌創造20億歐元的收入。

此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略而做出的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應爲該專案打下了良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫（Villach）和德國德勒斯登（Dresden）的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升這一領先地位，強化公司整體的競爭優勢。這種競爭優勢的形成來自於英飛凌「從產品到系統」的戰略方針，以及在該方針指引下所實現的技術領先性、全面的產品組合以及對應用的深刻理解。

英飛凌營運長Jochen Hanebeck表示，創新技術和綠電能源的應用，是降低碳排放的關鍵。再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。英飛凌透過擴大碳化矽和氮化鎵功率半導體的產能，爲迎接寬能隙半導體市場的快速發展做好準備。我們正在將位於菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬能隙功率半導體生產製造相結合，打造成功的組合。

目前，英飛凌已向3000多個客戶提供基於碳化矽的半導體產品。這些半導體產品在效率、尺寸和成本方面具有比矽基半導體更優異的系統性能，被廣泛應用於各個領域，爲客戶創造了更高的價值。英飛凌秉承「從產品到系統」的戰略方針，擁有領先的基礎技術、豐富的產品組合與封裝工藝，以及無與倫比的應用專長，推動了碳化矽半導體在工業電源、光伏、交通運輸、驅動、汽車和電動車充電等核心領域的應用。

英飛凌目標至本世紀20年代中期，碳化矽功率半導體的銷售額將提升至10億美元。同時，氮化鎵市場預計也將迎來激增，從2020年的4700萬美元增至2025年的8.01億美元。英飛凌對系統和應用的理解領先業界，擁有廣泛的氮化鎵智慧財產權組合，以及強大的研發實力。

居林新廠區滿負荷運轉之後，將創造900個高價值型就業機會。新廠區將於今年6月開始施工，在2024年夏季進行設備安裝。首批晶圓將於2024年下半年開始出貨。對居林工廠的新增投資主要用於磊晶製程和晶圓切割等具有高附加值的環節。

馬來西亞資深部長暨國際貿易與工業部長拿督Seri Mohamed Azmin Ali表示，在英飛凌遍佈全球的業務網路中，馬來西亞是非常重要的地區樞紐之一。英飛凌此次擴大投資，也再度證明了馬來西亞具備有利的生態系統和本土人才可以支援業務的長期增長。政府將透過馬來西亞投資發展局（MIDA），持續與戰略投資者密切合作，以鞏固馬來西亞作爲區域重要半導體產業樞紐的特殊地位。

菲拉赫將進一步強化其寬能隙半導體技術全球能力中心的角色未來幾年，菲拉赫工廠將透過改造現有的矽晶圓製造設備，進一步強化其作爲寬能隙半導體技術全球能力中心和創新基地的角色。透過重新利用非專用的矽晶圓生產設備，將6吋和8吋的矽晶圓生產線轉作爲碳化矽和氮化鎵元件的生產線。菲拉赫工廠目前正爲迎接進一步的增長機會做準備。