訊創申請一種高金屬緻密度的LMC生產工藝方法專利，在提高基材膜層沉積速率的同時降低質量問題

金融界2024年10月19日消息，國家知識產權局信息顯示，訊創（天津）電子有限公司申請一項名爲“一種高金屬緻密度的LMC生產工藝方法”的專利，公開號CN 118754456 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本申請涉及金屬化鍍膜技術領域，具體涉及一種高金屬緻密度的LMC生產工藝方法。該方法包括：對於玻璃基材通過超聲波清洗步驟、表面預處理步驟、金屬化步驟後獲取鍍膜後的玻璃基材；獲取鍍膜效率以及鍍膜表面圖像；通過對鍍膜表面圖像每個連通域的所有像素點和邊緣像素點的分析獲取連通域的靶材沉積特徵值；通過對所有連通域的特徵值將連通域分類，獲取特徵值大的一類的靶材沉積顆粒分佈係數；根據靶材沉積顆粒分佈係數和鍍膜的效率獲取玻璃基材的最佳工作電流，基於最佳工作電流製造LMC膜。本申請在提高基材的膜層沉積速率的同時降低基材的膜層表面出現大顆粒的靶材沉積顆粒區域的質量問題。

本文源自：金融界

作者：情報員