西安奕斯偉取得硅片刻蝕裝置專利，避免下一個硅片與碎片重疊衝撞影響產品質量甚至損壞刻蝕槽

金融界2024年10月9日消息，國家知識產權局信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司取得一項名爲“一種硅片刻蝕裝置”的專利，授權公告號CN 221812085 U，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本實用新型提供了一種硅片刻蝕裝置，涉及半導體制造技術領域。該裝置包括：刻蝕槽以及承載部；所述承載部設置於所述刻蝕槽內，用於在所述刻蝕槽內對硅片進行刻蝕的過程中承載所述硅片；所述承載部上設置有多個與所述刻蝕槽連通的通孔，且所述承載部底部與所述刻蝕槽內底壁的距離小於預設值。本實用新型實施例的硅片刻蝕裝置，通過在刻蝕槽內設置承載部，即使在刻蝕和清洗過程中發生了碎片，碎片也不會掉落在所述刻蝕槽內，避免頻繁更換所述刻蝕槽內的刻蝕液，也能夠避免在刻蝕槽內發生碎片且未及時清理的情況下，下一個硅片進入所述刻蝕槽內後與碎片重疊衝撞，影響產品質量甚至損壞刻蝕槽。

本文源自：金融界

作者：情報員