臺積先進製程再添戰力 下世代EUV設備...本月進駐

業界傳出，臺積電（2330）首臺下世代高數值孔徑極紫外光微影設備（High-NA EUV）本月將進機，持續領先三星的交機進度，有助臺積電持續衝刺新世代先進製程。

對於相關傳聞，艾司摩爾昨（9）日不評論單一客戶。臺積電不迴應市場傳聞。

業界盛傳，臺積電首臺High-NA EUV本月將進機，預計移入臺積電全球研發中心，作爲研發使用，進而應對後續A14等先進製程開發需求。

至於價格方面，外傳臺積電總裁魏哲家親自出馬議價有成，在購買新機配售舊款產品之下，整體報價估可減少近二成。

據瞭解，高數值孔徑極紫外光微影設備報價逾4億歐元，因光鏡頭鏡片無法分拆入廠，高度比一間會議室還高、長度也遠超前一代設備，因規格特殊且精密，恐須機場或港口聯通的高速公路交管或特定路線於深夜運送入廠，以避免交通不順。

據統計，臺積電目前是全球最大極紫外光微影系統設備持有者，估計佔全球EUV晶圓設備產出65%，也是率先將EUV設備導入7奈米制程的廠商。

艾司摩爾已獲得所有極紫外光微影（EUV）設備客戶下單下世代產品。ASML High NA EUV產品管理副總裁Greet Storms日前受訪提到，「ASML持續推進新的技術，並獲得每個EUV客戶在研發階段青睞，這些也都是我們High-NA客戶，也都有下單給我們，2026年希望是往量產方向推進」，不過仍看客戶製程成本等總體考量。

艾司摩爾先前曾證實，今年底前將向臺積電交付最新的High-NA EUV。艾司摩爾強調，下世代極紫外光微影設備已於去年底開始陸續出貨，產能預計每小時可曝光超過185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。