臺積電次世代記憶體大突破 力旺、M31擁技術跟著旺

臺積電（2330）在次世代記憶體MRAM技術傳出重大突破，業界看好在臺積電登高一呼，將助攻主要晶圓代工大廠開始加快導入新一代MRAM技術，讓擁有MRAM相關資源的矽智財（IP）廠跟着旺，臺廠當中，力旺、M31都握有MRAM矽智財技術並有實績，將跟着旺。

力旺過去在MRAM市場已開發出可應用在22奈米制程的嵌入式MRAM，鎖定車用晶片市場，且未來由於車用晶片在先進駕駛輔助系統（ADAS）規格都需要持續提升，代表運算速度需求將更快，在MRAM具備高速存取及更小晶片尺存的特性下，力旺後續將持續大啖嵌入式MRAM商機。

力旺先前指出，28奈米制程以下若採用傳統的eFlash製程作爲嵌入式記憶體，將會使生產成本大幅拉高及晶片微縮難度增加等問題，MRAM具備耐高溫特性，而且又不會影響MRAM當中的磁性，因此讓車用晶片廠開始逐步轉進MRAM，取代過去常使用的eFlash製程。

M31也在MRAM矽智財研發投入數年時間，隨着AI、高效能運算（HPC）等相關商機持續帶動MRAM市場需求提升，M31未來在矽智財產品到位後，將可望順勢進軍這塊市場，搶佔AI、高效能運算帶來的MRAM市場大餅，推動業績再度攻高。

業界分析，由於SOT-MRAM具備斷電可保存資料特性，未來也有機會逐步取代當前使用的eFlash製程，作爲嵌入式記憶體的新選擇。