臺積電超殺利器！ASML最強機臺飆出天價 200公噸運送大揭密

ASML新一代曝光機2024年出貨，下單客戶包括臺積電、英特爾和三星。（示意圖/達志影像/shutterstock）

儘管全球經濟環境不佳，衝擊半導體需求，但荷蘭半導體微影設備大廠艾司摩爾（ASML）依舊看好長期產業前景。韓媒報導，ASML新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備，用於2奈米、甚至更小尺寸製程，預計2024年開始交貨，一臺要價約3億至3.5億歐元之間（約臺幣96.6億至113億元），目前大咖客戶包括臺積電、英特爾、三星都已下訂。由於新一代 High-NA EUV曝光機比前一代體積大30%左右，重量超過200 公噸，至少需要三架波音747分批運送。

韓聯社報導，目前極紫外光（EUV）機臺可支持晶片製造商，將製程推進到3奈米左右，但若要往更先進的2奈米制程，甚至更小的尺寸，就需要高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備。

當前EUV數值孔徑爲0.33，而High-NA EUV將數值孔徑提升到0.55，可以進一步提升分辨率（NA越大，分辨率越高），從0.33 NA EUV的13奈米分辨率提升到0.55 NA EUV的8奈米分辨率，透過多重曝光可達到2奈米及以下製程晶片的製造。

近年來，臺積電、三星、英特爾在先進製程大戰打得火熱，紛紛大力投資更先進的3奈米、2奈米技術，以滿足高性能計算等先進晶片需求。而ASML新一代High-NA EUV機臺就成爲兵家爭奪的關鍵。

今年9月，臺積電表示，2024年將取得ASML新一代High-NA EUV設備，其2奈米採用環繞閘極電晶體（GAAFET）架構，並於2025年量產，將是密度最小、效能最好的技術，業界也傳出首度採用High-NA EUV微影技術量產，進度可望超前對手三星與英特爾。

ASML透露，目前已接到多個EXE：5200（量產版High-NA EUV）訂單，包括三個邏輯廠和兩個記憶體廠；前者應指臺積電、英特爾和三星；後者則爲三星與SK海力士。

路透先前報導，ASML新一代 High-NA EUV曝光機，因爲精密度更高、設計零件更多，比前一代體積大30% 左右，重量超過 200 公噸的雙層巴士，至少需要三架波音 747 分批運送。ASML最強機臺將用於生產下一代晶片，終端應用領域涵蓋手機、筆電、汽車、AI 等。