SK海力士赴美蓋先進封裝廠 預計2028年量產

SK海力士計劃斥資38.7億美元，在印第安納州興建首座美國晶片廠，這是拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的又一項佳績。 美聯社

SK海力士計劃斥資38.7億美元，在美國印第安納州West Lafayette興建先進封裝廠和AI產品研究中心，預計2028年下半年開始量產。這是拜登政府在尋求增加美國本土半導體產量上的又一項佳績，而中西部地區也再分得一塊正在蓬勃發展的半導體產業大餅。

綜合彭博資訊和道瓊社報導，SK海力士3日表示，旗下首座美國先進封裝廠的重點是設置下一代高頻寬記憶體晶片（HBM）的生產線，這些晶片是訓練AI系統的繪圖處理器關鍵組件。新廠預計於2028年下半年開始量產，並在當地創造超過1,000個工作機會。

SK海力士在HBM晶片的設計與生產領域領先，成爲AI發展熱潮的關鍵參與者，更是輝達（NVIDIA）唯一的HBM供應商。SK集團董事長崔泰源，曾在2022年承諾投資150億美元於美國半導體產業，資金將用於興建相關設施，並支持當地的研發計劃。印第安納州的工廠，便是該計劃的一部份。

美國的封裝產能僅佔全球的3%，意味在美國生產晶片的公司，仍須將晶片運往亞洲組裝使用。2022年通過的530億美元「晶片與科學法」（CSA），旨在促進半導體產業迴流美國，逐漸減少對亞洲供應商的依賴。SK海力士也已透過該法案申請補助。

印第安納州州長侯康安（Eric J. Holcomb）辦公室表示，州政府提供SK海力士高達5.54億美元的退稅方案，以及數百萬美元的補助和績效工資。普渡研究基金會（Purdue Research Foundation）和普渡大學（Purdue University）也提供約6,000萬美元的額外獎勵和服務。

受到「晶片與科學法」的激勵，半導體大廠開始前進美國中西部地區。儘管當地缺乏基礎設施，但地方政府以其整體較低廉的成本、勞動力潛能和鄰近關鍵資源的優勢，吸引企業進駐。英特爾如今也將斥資逾280億美元，在俄亥俄州興建兩座工廠，預計2026年完工。