SK 海力士 HBM4 攻入臺積電 CoWoS 供應鏈 2026年開始量產

K海力士（SK Hynix）與臺積電簽署合作備忘錄，攜手開發下一代高頻記憶體（HBM）晶片，透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM的整合。 路透通訊社

SK海力士19日宣佈下一代HBM產品生產和加強融合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電（2330）密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。SK海力士計劃與臺積電合作開發預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。

SK海力士表示，公司作爲AI應用的記憶體領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業臺積電攜手合作，將會繼續引領HBM技術創新。通過以構建IC設計廠、晶圓代工廠、記憶體廠三方技術合作的方式，公司將實現記憶體產品性能的新突破。

兩家公司將首先針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎裸晶（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸晶（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並通過TSV技術進行垂直連接而成。基礎裸晶也連接至GPU，起着對HBM進行控制的作用。

SK海力士以往的HBM產品，包括HBM3E（第五代HBM產品）都是公司自身製程製造基礎裸晶，但從HBM4產品開始計劃採用臺積電的先進邏輯（Logic）技術。若在基礎裸晶採用超細微工藝可以增加更多的功能。由此，公司計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定製化（Customized）HBM產品。

與此同時，雙方將協力優化SK海力士的HBM產品和臺積電的CoWoS技術融合，共同應對HBM相關客戶的要求。

臺積電業務開發和海外營運辦公室資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，多年來，臺積電與SK海力士已經建立了穩固的合作伙伴關係。通過與此融合了最先進的邏輯工藝和HBM產品，向市場提供了全球領先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司也通過密切合作提供最佳的融合產品，爲我們的共同客戶開展新的AI創新成爲關鍵推動力。