三星晶圓代工3nm和2nm節點發展順利 4nm良率趨於穩定

【太平洋科技資訊】三星電子在今日公佈的一季度財報中分享了其半導體相關業務的技術信息和未來展望。其中，系統 LSI 業務是三星的重要支柱之一，其晶圓代工業務正在穩步發展。

三星表示，整體晶圓代工業務的復甦相對延遲，但晶圓廠的運營效率有一定提升。這表明三星在提高生產效率和降低成本方面取得了顯著的進步。

技術方面，三星透露其 3nm 和 2nm 節點技術發展順利，將在本季度完成 2nm 設計基礎設施的開發。而在 4nm 節點方面，良率漸趨穩定。這或許會使三星在芯片製造領域處於領先地位。此外，三星還計劃開發適用於 14nm、8nm 等成熟節點的基礎設施，以滿足不同應用的需求。三星正在積極投資研發，以保持其在半導體市場的競爭力。

除了系統 LSI 業務外，三星的存儲業務也在不斷壯大。三星電子已經開始量產 HBM3E 8H(8 層堆疊)內存，並計劃在本季度內開始量產可提供 36GB 單堆棧容量的 HBM3E 12H 產品。這一舉措將進一步加強三星在高性能內存市場中的地位。

此外，三星還計劃增加 HBM 的供應，以滿足生成式 AI 市場的需求。這一決策表明三星已經認識到生成式 AI 市場的重要性，並正在積極佈局。

對於常規 DDR5，三星基於 1bnm(12 納米級)製程的 32Gb DDR5 也將於本季度量產。這將使三星在 DDR5 市場中的競爭力得到進一步提升。此外，三星還計劃在該產品上實現更快的產能爬坡，以滿足未來高密度 DDR5 模組市場的需求。

在 NAND 閃存領域，三星進一步明確第 9 代 V-NAND 的 QLC 版本將於三季度量產。這一消息表明三星在閃存技術方面將繼續保持領先地位。

總體來看，三星電子在半導體業務方面取得了顯著進展，其技術實力和市場佈局令人印象深刻。未來，隨着芯片技術的不斷進步和市場需求的增長，三星電子有望繼續保持其領先地位，爲全球用戶提供更優質的產品和服務。

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