三星電子AI熱潮中落後痛失1260億美元 奮力追趕HBM4能否挽回敗局?

智通財經APP獲悉，曾經的半導體領域霸主三星電子在人工智能繁榮發展的浪潮中面臨挑戰。儘管其在存儲器等半導體領域長期佔據主導地位，但在下一代高帶寬內存(HBM)芯片方面，三星已落後於其長期競爭對手SK海力士。SK海力士憑藉與AI芯片領導者英偉達建立的緊密關係，在HBM市場上取得了顯著優勢，導致三星的利潤大幅下降，市值蒸發約1260億美元。然而，三星正努力追趕，並計劃在2025年下半年開始大規模生產下一代HBM4。

多年來，三星一直是存儲器技術的領導者，其地位無可爭議，遙遙領先於韓國競爭對手SK海力士和美國競爭對手美光(MU.US)。然而，隨着人工智能應用的興起，如OpenAI的ChatGPT，訓練這些應用所需的底層基礎設施，特別是高帶寬內存(HBM)，成爲了關注的焦點。英偉達(NVDA.US)憑藉其圖形處理單元(GPU)在這一領域佔據領先地位，這些GPU已成爲科技巨頭用於人工智能訓練的黃金標準。

然而，三星在HBM領域的投資卻未能跟上市場的步伐。晨星股票研究主管Kazunori Ito指出，由於HBM長期以來一直是一種非常小衆的產品，且堆疊DRAM所涉及的技術難度大、市場規模小，因此三星並沒有集中資源進行開發。相比之下，SK海力士看準了這個機會，積極推出獲准用於英偉達架構的HBM芯片，與這家美國巨頭建立起密切的關係。值得一提的是，SK海力士9 月份季度營業利潤創下歷史新高。

對此，Counterpoint Research 副總監 Brady Wang 表示：“憑藉強大的研發投入和建立的行業合作伙伴關係，SK 海力士在 HBM 創新和市場滲透方面都保持優勢。”

儘管三星在HBM市場上起步較慢，但該公司正在努力追趕。三星透露，第三季度HBM總銷量環比增長超過70%，並且名爲HBM3E的產品已投入量產並開始銷售。此外，三星還指出，其下一代HBM4的開發正在按計劃進行，並計劃在2025年下半年開始大規模生產。

然而，三星能否在短期內東山再起，似乎與英偉達息息相關。一家公司必須通過嚴格的資格審查程序，才能獲得英偉達的批准成爲HBM供應商，而三星尚未完成這一審覈。但分析師表示，如果三星能夠獲得英偉達的批准，這將爲其打開大門，使其能夠恢復增長，並與SK海力士進行更有效的競爭。

三星發言人也表示，公司在HBM3E方面取得了重大進展，並完成了認證過程中的重要階段，預計第四季度銷售額將開始擴大。此外，Counterpoint Research副總監Brady Wang指出，三星在研發方面的實力以及該公司的半導體制造能力可以幫助其趕上SK海力士。

總的來說，儘管三星在HBM市場上起步較慢，但該公司正在通過加大投資、提高產量和計劃新一代產品的生產來努力追趕競爭對手。然而，三星能否成功東山再起，還需要看其能否獲得英偉達等關鍵客戶的批准，並充分利用其在研發和半導體制造方面的優勢。