強茂攻SiC 明年業績添柴火

二極體廠強茂（2481）持續拓展資料中心、電動車等高階市場，傳出已經開始擴大布局碳化矽（SiC）等第三代材料半導體市場，並已經在2020年第二季開始送樣SiC二極體，第四季更將送樣給客戶更加高階的遮罩閘溝槽式（Shield Gate Trench）MOSFET產品，營運效益將有望在2021年開始發酵。

電動車發展迅速，目前除車內電子設備增加需要大量二極體及MOSFET外，應用在電動車充電線材及電動樁等更是大量增加，由於SiC具備高耐壓及低抗阻等特性，可讓電源轉換效率更佳，換句話說充電速率將會更加迅速。

強茂近年來不斷向高階市場發展，市場傳出，強茂正大力拓展SiC等第三代材料材半導體市場，且成功開發出SiC二極體並在第二季進入送樣程序，第四季將會送樣60-150V的Shield Gate Trench MOSFET，預期最快有機會在2021年開始量產出貨。

法人指出，SiC二極體除未來將會被大量應用在電動車市場之外，資料中心、工控等高階市場亦可望成爲採用SiC的主要領域，隨着SiC市場未來將可望成爲未來新星，強茂將有望藉此搶攻大量商機。

據瞭解，強茂除掌握第三代材料半導體技術SiC外，同時也開始全力搶攻650-1200V的絕緣柵雙極電晶體（IGBT）產品，目標同樣是瞄準高階工控市場。法人指出，強茂目前在2021年規劃15億元的資本支出搶攻高階市場，將有助於整體毛利率向上成長。