尼克森、富鼎 大啖電動車商機

SiC、GaN由於具備低功耗、高轉換效能等特性，因此國際IDM大廠已經開始率先量產，先行應用在國防、電動車及資料中心等高階市場，由於後續市場規模有望隨着5G、電動車等終端需求不斷看增，因此國內MOSFET廠也開始投入相關領域，爭搶相關商機。

目前臺灣MOSEFT廠當中，尼克森、富鼎等兩家MOSFET在SiC、GaN腳步相對較迅速，其中尼克森已開始投入第二代SiC、GaN等技術研發，最快有望在2022年傳出好消息，至於富鼎在SiC領域上則以蕭特基二極體（Schottky Diode）開發樣品，同樣可望搭上未來第三代半導體商機。

不過，由於相關第三代半導體商機在高階市場早已被IDM大廠相繼卡位，因此臺灣MOSFET廠後續要切入5G、電動車市場相對較爲困難，但法人看好，MIH電動車開放平臺聯盟將有望打破目前窘境，代表尼克森、富鼎將有機會藉此攻入5G、電動車市場。

不僅如此，鴻海先前對外宣告，先前買下的新竹六吋廠將會打造爲SiC、GaN等第三代半導體生產基地，預期將在2023年進入量產，但2022年上半年將會率先投入量產，主要針對目前市場上缺少的半導體元件。

目前半導體市場仍呈現供需吃緊狀態，其中富鼎、尼克森所進攻的MOSFET市場亦在八吋產能吃緊情況下，呈現缺貨狀態。