富鼎攻電動車鏈 營運添翼

富鼎月合併營收

金氧半場效電晶體(MOSFET)廠富鼎(8261)獲得國創半導體認購私募後,積極朝向電動車領域發展。富鼎已可量產1,200V高壓絕緣閘雙極電晶片(IGBT)模組。

碳化矽(SiC)應用亦完成600V蕭特基二極體(SBD)、900V及1,200V高壓MOSFET開發及投產,可望在鴻海MIH聯盟的電動車供應鏈搶得先機。

富鼎上半年受惠於電源供應器需求大增,合併營收22.95億元創歷年新高,歸屬母公司稅後純益5.75億元,較去年同期成長逾1.2倍,每股淨利6.59元優於預期。由於生產鏈進入庫存去化階段,富鼎低壓MOSFET出貨轉弱,7月合併營收月減16.2%達3.34億元,較去年同期減少2.6%,累計前七個月合併營收26.29億元,較去年同期成長9.4%。

全球通膨導致市場庫存出現激烈修正,富鼎以電源供應器市場爲主亦受影響,但衝擊不會像手機等消費性電子劇烈。富鼎前幾個季度營收成長有限,主要是晶圓代工產能不足,隨着下半年產能供給增加,富鼎轉向擴大伺服器及新能源領域出貨,包括富鼎與臺達電合作開發再生能源儲能及供電系統MOSFET,短期營運或許有陣痛期,但對富鼎下一階段成長將帶來助益。

鴻海及國巨二大集團爲了衝刺電動車商機,參與合資的國創半導體增資計劃,再透過國創參與富鼎私募,增資完成後國創將持有富鼎30.08%股權,併成爲最大法人股東。富鼎過去幾年在車用功率半導體佈局有成,但一直沒有找到合適的合作伙伴切入電動車應用,在國創入股後,富鼎可望藉由鴻海及MIH聯盟找到車用功率元件出海口。

富鼎車用IGBT產品線及技術均已到位,與茂矽合作開發的1,200V高壓IGBT模組,過去因爲缺少車用電子及系統廠配合,市場一直無法打開,如今將與鴻海及MIH聯盟配合,雙方產品技術磨合還需要一些時間,但可望找到合適的合作伙伴。

再者,富鼎SiC產品線主要與漢磊合作,已完成600V蕭特基二極體(SBD)、900V及1,200V高壓MOSFET等產品開發,由於SiC磊晶片成本高,富鼎價格競爭力被弱化,但未來會朝功率模組方向發展,可望打進鴻海及MIH聯盟電動車供應鏈。