陸第三代半導體廠拚赴港IPO 爭取向海外市場擴張

大陸許多半導體公司都開始向海外市場擴張，而在港上市便是重要途徑之一。（路透）

繼大陸第三代半導體廠商英諾賽科已在港交所上市後，另外兩家第三代半導體廠商天域半導體也向港交所主板申請IPO，天嶽先進則發佈公告稱，擬發行H股並在港交所上市。

在巨大的市場商機以及複雜的國際形勢下，半導體產業競爭日趨激烈，爲進一步在國際上掌握話語權，大陸許多半導體公司都開始向海外市場擴張，而在港上市便是重要途徑之一。

氮化鎵（GaN）功率半導體廠商英諾賽科，於2024年12月30日在港交所主板掛牌上市，募集資金港幣13億元（約新臺幣55.7億元）。

資金主要用於擴大8吋氮化鎵晶圓產能、研發及擴大產品組合、擴大氮化鎵產品的全球分銷網路等。

成立於2017年的英諾賽科，是第三代半導體矽基氮化鎵外延及器件研發與製造的高新技術企業，寧德時代董事長曾毓羣，也曾以個人投資者身分，參投英諾賽科的C輪融資。

英諾賽科披露，2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市佔排名第一，市佔率達42.4%。

截至2024年第3季，英諾賽科氮化鎵出貨量成功突破10億顆。