第三代半導體漲什麼？華爾街泄1大預測 12家臺廠拚了

第三類半導體的長遠發展相當值得期待。（示意圖/達志影像/shutterstock）

Wolfspeed公佈財報激勵股價跳空大漲，亦同步推升安森美創歷史新高、意法半導體跟漲，優於預期的財報指引預示着第三類半導體的需求大爆發。(圖/先探投資週刊提供)

多家華爾街券商陸續提高對國際碳化矽領導大廠Wolfspeed（WOLF.US）的目標價，例如花旗從八五美元提高至一一五美元，摩根史坦利從一○一美元提升至一○六美元，他們會有此動作都是因爲Wolfspeed公佈的第四季業績及財測目標大幅優於市場預期。

半導體材料演化進程

Wolfspeed近年來進軍電動車應用有成，包括通用、福斯、德爾福集團等電動車動力系統都使用該公司的碳化矽元件，統計近四季度在汽車佔比逾七成的設計導入（design-in）營收顯著增至二六億美元，公佈的第四季財報營收來到二．二八五億美元，每股虧損○．○二美元，遠小於先前預估的虧損○．一美元，另外公司更上修二○二六年的營收目標展望，較去年底提出的二一億美至少高出三○％，也使市場歡欣慶賀，股價以跳空開高反應，盤中更上漲超過三二％，帶動安森美、意法半導體等股價走高。由於碳化矽（SiC）市場持續供不應求，歐美日各路人馬均在SiC領域大舉佈局，市佔龍頭Wolfspeed與第二大的羅姆半導體（Rohm）分別投入十億美元（約三○○億臺幣）、一五○○億日圓（約三三○億臺幣），Wolfspeed矽材料及晶圓產能要提升三十倍、Rohm社長松本功更訂下SiC產能提升六倍、誓言成爲全球SiC龍頭的野心，種種跡象顯示着第三類半導體的長遠發展相當值得期待。

盤點半導體材料的演進，一共可分爲三個階段，第一類由矽、鍺材料組成，多應用於需要高度運算的邏輯ＩＣ，第二類半導體則是指砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）的化合物半導體，造就了二十世紀後移動通訊技術和網際網路的快速發展，而第三類半導體又稱「寬能隙半導體」，主流材料碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）則因具備耐高溫、耐高電流的極佳特性，讓科技發展到５Ｇ、電動車等新興應用的同時，對應的功率元件能適應嚴苛環境並保有極佳效能，使市場目光開始轉向第三類半導體。

SiC、GaN生產成本高

由於SiC、GaN的耐受電壓與輸出功率不同，因此在不同場域發揮性能，電壓高於六百伏特的以SiC佔據優勢，主要應用於重電系統、新能源車領域，SiC結合MOSFET更可耐高達一二○○Ｖ的電壓，而特斯拉率先在Model 3納入SiC電晶體被視爲SiC產業的重要里程碑，其後有保時捷、奧迪等品牌陸續推出八○○Ｖ高壓車款，促使SiC功率元件滲透率逐年提升，全面替代Si IGBT成爲逆變器標配，深受車企追捧，不過SiC技術仍持續發展中、成本也相對較高。研究指出，SiC基板約佔總成本的五○％、磊晶片佔二五％、元件晶圓製造環節佔二○％，封裝測試環節佔五％，尤其在SiC基板供不應求的情況下，儘管國際指標大廠Wolfspeed、Rohm、排名第三的貳陸（II-VI）等均大動作擴產，擴產規模仍追不上SiC終端市場需求增加的速度。（全文未完）

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