力積電SEMICON雙喜臨門 3D晶圓堆疊/2.5D中介層獲國際大廠青睞

力積電董事長黃崇仁。圖/聯合報系資料照片

力積電宣佈美、日大廠將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術,結合一線晶圓代工廠的先進邏輯製程,開發高頻寬、高容量、低功耗的3D AI晶片,爲大型語言模型人工智慧(LLM-AI)應用及AI PC(個人電腦)提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM(高頻寬記憶體)的高速傳輸需求,力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer(中介層),也通過國際大廠認證,將在該公司銅鑼新廠導入量產。

據瞭解,力積電與工研院合作開發全球首款專爲生成式AI應用所設計的3D AI晶片,甫拿下2024 World R&D100 AI晶片大獎。該公司更針對當前HBM市場嚴重供不應求的窘況,於今年SEMICON Taiwan大展發表3D晶圓堆疊的Logic-DRAM晶片製程技術,以此創新制程生產的3D AI晶片,應用在人工智慧推論(Inference)系統,已展現資料傳輸頻寬是傳統AI晶片10倍、功耗僅七分之一的優異效能。

力積電透露,由於同時掌握記憶體、邏輯兩大製程平臺,近年該公司領先全球大力研發的3D晶圓堆疊Logic-DRAM晶片製程技術,目前已和美商AMD、日本GPU(圖形處理器)晶片設計業者及多家國際系統大廠聯手,以力積電Logic-DRAM 多層晶圓堆疊技術,與一線晶圓代工大廠先進邏輯製程合作開發新型3D AI晶片,發揮3D晶圓堆疊的優勢,爲商機龐大的大型語言模型人工智慧(LLM-AI)應用市場,以及方興未艾的AI PC新需求,提供高性價比的創新解決方案。

根據不同客戶的AI晶片設計需求,力積電錶示,透過合作伙伴愛普公司設計客製化DRAM晶片,再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術,與現有采用HBM的2.5D AI晶片架構相較,新款3D AI晶片能夠在相同單位面積提供高達100倍傳輸頻寬、龐大記憶體容量,考量GPU、HBM價格高昂、供不應求的現況,對亟需提升效能、降低成本和功耗的LLM-AI應用及AI PC市場深具吸引力。

另外,爲支援GPU與HBM2E、HBM3高頻寬記憶體的傳輸,力積電根據客戶需求開發的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產品,已通過國際大廠的認證,目前該公司正積極在銅鑼新廠布建生產線,以因應客戶需求加速導入量產。