記憶體回暖 Q4合約價看漲

現貨價反彈，價差持續收斂，NAND Flash本季平均單價漲幅估5～10％。圖／本報資料照片

記憶體族羣股價表現

三星、SK海力士及美光三大原廠擴大減產，NAND Flash及DRAM現貨價近期呈價格反彈跡象，其中，NAND Flash回溫速度優於預期，第四季價差持續收斂，預估本季產品平均單價漲幅爲5～10％，有機會出現貨價與合約價黃金交叉。

記憶體族羣受惠產業市況反轉，今年以來股價走勢強勁，十銓股價今年以來漲幅翻倍，威剛股價漲幅逾八成，羣聯股價亦有逾五成的漲幅。

業界人士分析，由於三大原廠的庫存離正常化仍有一段距離，擁有最大市佔率的龍頭廠三星，決定進一步削減產能利用率至50％，欲使庫存儘早正常化，現階段加大減產，預期效果將於2024年上半年反映。

記憶體市場約有90％爲合約價市場，而現貨價爲可視爲漲跌趨勢的先行指標，以NAND Flash Wafer而言，1Tb TLC現貨價自低點反彈27％，主流的512Mb TLC現貨價也有25.7％增幅，而256Mb TLC現貨價回升16％。

由市場供需來看，供不應求將加速消耗先前庫存，漲價趨勢將持續到2024年，業界人士預估，NAND Flash第四季價差持續收斂，並有機會出現貨價與合約價黃金交叉，預估第四季產品平均單價漲幅爲5～10％。

就DRAM來看，DDR5、DDR4、DDR3現貨價齊漲，第四季合約價也看漲，三星已由第一季的減產20％，第三季減產25％，到近期宣佈第四季將減產拉高至30％，策略明顯奏效。

且得益於報價拉擡，自7月以來的現貨價各品項，小幅反彈5～8％，DRAM現貨價已於9月初落底，並呈現反彈趨勢，其中，以最先反彈的DDR3，漲幅最大。

大廠的DDR3產能較少，率先縮減後，並將產能轉往更高階產品，因此，DDR3開始市場供不應求，也顯見下游端庫存已逐步去化，產生需求。

而目前市場主流的庫存DDR4 8G，由微幅下滑，轉爲開始上揚，DRAM谷底週期接近尾聲，並且近期已有原廠宣佈調升合約價，第四季整體DRAM產品平均單價，將有0～5％漲幅。