iPhone 15 Pro過熱 臺積電3奈米害的？韓媒竊喜：三星撿到槍

蘋果iPhone 15系列爆出機身過熱問題。（圖／美聯社）

蘋果推出iPhone 15 Pro系列頻頻爆出過熱問題，韓媒BusinessKorea撰文指出，過熱恐怕跟臺積電以3奈米制程技術代工的A17 Pro處理器有關，三星或許有可乘之機。

有大陸用戶近日反映，用iPhone 15 Pro執行高階遊戲後，30分鐘內手機溫度竟然飆升至48度C，報導指出，晶片的這種過熱現象，通常表示製程存在設計缺陷，例如未能控制漏電流(power leakage)。

報導引述業內人士說法指出，臺積電的製程可能有問題，這種懷疑背後的一個原因是，有些人認爲傳統的「鰭式場效電晶體(FinFET)」製程已經達到了極限。該項技術在2011年推出，直到4奈米爲止都是晶片設計不可或缺的技術，臺積電被譽爲FinFET工藝大師，一直引領業界，然而，一旦製程升級至3奈米以下，以FinFET技術控制電流變得極具挑戰性。

更大的擔憂是，如果第一代3奈米產品有缺陷，基於相同技術的後續製程也可能會有問題。而臺積電已宣佈推出數個3奈米後續製程，包括接續第一代「N3B」的第二代「N3E」。

報導提到，三星電子先前在5奈米制程上面臨挑戰，並在後續的5奈米接續製程及類似的4奈米制程遭遇挫折，這也導致Galaxy S22內建的晶片面臨過熱問題，最終促使高通等大客戶轉單臺積電，使臺積電、三星的市佔差距在上一季拉開50.3個百分點。

三星爲了挽回頹勢，後將3奈米改爲「環繞式閘極」(GAA)製程，這種架構有更多控制介面，能改善電流控制、減少電力消耗，並將性能效率提升約10%。

根據Hi Investment & Securities預計，三星3奈米良率將超過60%，相比之下，臺積電的3奈米良率約爲55%，有人擔心，如果市場對臺積電3奈米制程良率存疑，主要客戶可能會同時採用或轉向三星產品。

報導稱，臺積電已坦承FinFET的侷限性，並宣佈2奈米也會轉換至GAA製程。不過，這項舉措可能會延後，因爲臺積電最初計劃在2025年大規模量產2奈米晶片，但在臺灣的2奈米工廠建設卻出現延遲。