合肥晶合集成電路取得一種半導體結構及其製作方法專利
金融界2024年11月6日消息，國家知識產權局信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司取得一項名爲“一種半導體結構及其製作方法”的專利，授權公告號 CN 118629994 B，申請日期爲 2024年8月。
本文源自：金融界
作者：情報員
相關資訊
- ▣ 晶合集成申請一種半導體結構的製作方法專利，提高半導體結構的電性性能
- ▣ 長鑫存儲申請半導體結構製作方法及其結構專利，提供一種新的半導體結構的製作方法
- ▣ 中芯國際取得半導體結構及半導體結構形成方法專利
- ▣ 潤新微電子取得一種半導體器件外延結構的製備方法專利
- ▣ 福建省晉華集成電路申請半導體器件及其製作方法專利，提升位線結構的組件效能
- ▣ 晶合集成獲得發明專利授權：“半導體器件版圖結構”
- ▣ 晶合集成取得一項半導體芯片測試電路結構專利，能提高半導體芯片的缺陷或腐蝕的檢測效率
- ▣ 福旭科技取得一種半導體集成電路晶圓加工生產線專利
- ▣ 上海積塔半導體申請溝槽型晶體管結構及其製備方法專利，工藝簡單
- ▣ OPPO取得複合片材以及製備其方法、電子設備專利
- ▣ 寧波升譜光電取得一種功率開關器件及其製作方法專利
- ▣ 上海建工五建集團取得一種預製墀頭與預製牆體的連接結構及施工方法專利
- ▣ 天茂石化取得一種疏水的尼龍複合材料及其製備方法專利
- ▣ 金髮科技取得一種阻燃尼龍樹脂組合物及其製備方法專利
- ▣ 芯仙半導體取得一種基於串聯方式的電池充放電控制方法專利
- ▣ 中芯集成-U申請半導體器件及其製備方法專利，改善鏡面結構翹曲，以提高半導體器件的可靠性
- ▣ 全球能源互聯網研究院取得一種架空導線用合金材料及其製備方法專利
- ▣ 中國華能集團清潔能源技術研究院取得一種疊瓦電池結構及製備方法專利
- ▣ C2安培取得垂直金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及其形成的方法專利
- ▣ 武漢光谷信息光電子創新中心申請半導體結構及其製作方法、電光調製器專利，提高電光調製性能
- ▣ 北新集團取得一種窗簾盒及其安裝方法專利
- ▣ 上海鷺駒取得一種防水透氣型面料及其製作方法專利
- ▣ 合肥埃科光電取得一種工業相機夾持定位方法及定位夾具專利
- ▣ 本源量子取得超導電路、量子比特裝置及其製備方法專利
- ▣ 鵬達智能取得一種儲能電池連接器及其製備方法專利
- ▣ 杭州積海半導體取得半導體結構相關專利
- ▣ 光本位科技取得一種芯片測試結構的製備方法及系統專利
- ▣ 上海晉飛取得碳纖維製品預埋管體成型結構及成型方法專利
- ▣ 長光華芯申請一種半導體發光結構的製備方法專利，利用低成本的方式提高了具有反波導的半導體發光結構的製備精度