創見推全新DDR5記憶體模組

創見指出，該公司最新DDR5記憶體模組速度最高提升至5600MT／s，擁有超高頻寬、低功耗優勢，相比DDR4 3200傳輸效能大幅增長，提升巨量資料的穩定傳輸速度。兩組完全獨立的32位元子通道傳輸架構，縮短資料載入時間，減少系統存取延遲。

有別於DDR4世代，DDR5工作電壓降低至1.1V，並搭載電源管理IC（PMIC），更能有效控制系統電源負載，電源轉換效率提高，提升訊號完整性，進而優化系統能源效率。

爲實現更高工作效能，DDR5記憶體模組在容量、資料密度方面皆有所突破，但由於製程微縮技術，衍伸出較高的資料錯誤風險，因此，內建On-Die ECC資料糾錯機制，能夠偵測、修正儲存單位中的位元錯誤，有效提高資料正確性，改善訊號容錯率，強化高階應用在可靠度、可用性與可維護性等方面的能力。

此外，創見針對嚴苛工業應用環境挑戰，提供標準溫（0°C～95°C）和寬溫（-40°C～95°C）規格，確保最高穩定性與可靠度。