《半導體》創見推新DDR5記憶體模組 力助3大新世代

新一代DDR5 4800記憶體模組擁有超高頻寬、低功耗優勢，相比DDR4 3200增進50%傳輸效能；工作電壓則從1.2V下降至1.1V，提高整體系統能源效率。此外，DDR5配置電源管理晶片(Power Management IC)，直接單獨在DIMM上執行電源控制，使記憶體模組獲得更加穩定的電源，並具備較佳的訊號完整性，進而優化能源效率。且內建On-die ECC糾錯機制大幅精進資料正確性並強化系統可靠度，有效提升運算密集型應用的效能表現。

針對企業嚴苛的應用環境需求，創見工業級DDR5 ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM採用PCB金手指和抗硫化技術，加強記憶體對抗環境衝擊的防禦力，提升訊號傳輸的可靠度，有效支援資料量穩定成長的5G應用，適合全天候運作的伺服器，爲企業佈局智慧物聯網及邊緣運算奠定穩固基石；在電子消費領域，DDR5超高頻寬和雙獨立傳輸通道架構優勢，可大幅提高資料處理效率與效能，將引領專業影音內容工作者和電競玩家突破劃時代的極速效能。

創見全系列DDR5記憶體模組符合JEDEC國際標準，除推出Unbuffered Long-DIMM和Unbuffered SO-DIMM外，工業級產品線還涵蓋ECC Long-DIMM、ECC SO-DIMM以及Registered Long-DIMM規格，以因應多元高階應用需求。全產品線已進入量產階段，並積極進行平臺相容性測試。創見專業研發團隊擁有多年的豐富經驗並落實嚴謹測試，推出新一代DDR5記憶體模組，在具備長期穩定的供貨能力下，將協助企業積極擴展高效能運算市場。