傳三星暫緩南韓晶圓代工擴產 專注衝刺 HBM 記憶體產能

三星電子。路透

市場傳出，三星電子暫緩平澤P4晶圓代工產能擴充，並將專注NAND Flash與高頻寬記憶體（HBM）生產。

三星電子先前已決定暫停在平澤P4工廠建設第二期晶圓代工生產線。至於NAND Flash的P4一期產線預計近期投產，外傳三期產線目前正在建設中，預計中秋節後將正式安裝電力等設備。

此外，業界傳出，三星晶圓代工美國德州泰勒工廠的設備投資也將會再延遲一個季度。

外界認爲，三星全球晶圓代工廠投資建設計劃面臨比最初預期更多的延遲。主要擔憂源於三星不確定其先進製程能否在由臺積電（2330）等行業領導者主導的激烈競爭市場中競爭，這一挑戰促使三星修改計劃，延遲晶圓代工廠的建設和設備採購。

三星擴建中的主要晶圓代工專案包含南韓的P4工廠和美國德州泰勒工廠，這些工廠最初旨在處理先進工藝節點的量產，包括4奈米、3奈米甚至2奈米技術。

在南韓方面，依據三星原先規劃，平澤 P4 工廠2022 年開始建設，最初設計爲與 P3 工廠類似的多用途設施。第一階段生產 NAND Flash，第二階段用於晶圓代工生產，第三和第四階段用於生產 DRAM。

不過，由於市況變化，三星傳出後續將第二階段晶圓代工產線轉爲HBM與NAND Flash生產。

業界說，三星對P4工廠的原計劃是先建設記憶體產線（一期），再建設晶圓代工產線（二期），後續計劃再建設記憶體產線（三期與四期）以完成P4工廠。但傳出該公司已調整計劃優先建設記憶體產線。