《半導體》記憶體市場復甦 力成獲美系外資價、評雙升

美系外資出具最新報告,看好記憶體市場復甦、重返上升週期,將使記憶體封測廠力成(6239)營收年增率恢復成長,今明兩年營收復合成長率(CAGR)達9~10%,除調升今年營收及本業獲利預期,並將評等自「中立」調升至「加碼」、目標價自100元調升至120元。

受外資升評及調升目標價激勵,力成今(18)日股價開高後放量勁揚,一度上漲5.18%至101.5元,創去年12月初以來1個半月高點,截至午盤維持逾4%漲幅,領漲封測族羣。三大法人上週亦轉站多方、合計買超達5729張。

力成去年12月自結合並營收61.95億元,月減2.59%、年減6.13%,雖降至近10月低點、仍創同期次高。去年第四季合併營收190.23億元,季增0.46%、年減1.48%,創同期次高、亦創歷史第三高。累計去年全年合併營收761.8億元,仍年增14.51%、改寫新高。

美系外資認爲,力成去年第四季營收略低於預期,主因前年下半年強勁成長、比較基期較高,使力單月營收年增率自去年第二季起持續下滑。由於記憶體供需前景轉趨樂觀,預期力成今年首季營收可望恢復年成長,且動能將逐季回升。

美系外資指出,力成股價與營收年增率具強力相關性,由於預期營收年增率將持續下滑,因此先前維持中立看待。不過,由於伺服器庫存調整已在去年底完成,預期力成單季營收年增率可能已在上季觸底,預期後續營收及股價均可望轉強。

美系外資表示,因產能增加有限、新冠肺炎致使需求疲弱、堆疊層數演進時程遞延,去年DRAM位元數僅些微成長、NAND Flash位元數年增率創低。預期在新產能增加及週期性需求復甦下,今年DRAM位元數可望年增2成、NAND Flash位元數亦可望顯著成長。

美系外資認爲,隨着超大型數據中心完成庫存去化,雲端投資加速及英特爾Ice Lake CPU平臺啓動,對伺服器記憶體帶來多種需求催化動能。而5G智慧型手機滲透率提升帶動需求、消費性商品需求持續強勁、汽車工業需求復甦,亦對記憶體供需有利。

美系外資指出,力成股價明顯落後同業和記憶體業者。隨着今年產業復甦重返上升週期,預期力成今明2年營收年複合成長率(CAGR)可望有9~10%的健康成長,帶動毛利率提升、股東權益報酬率(ROE)強勁成長達14~19%,股價可望明顯反彈追趕。

美系外資將力成去年及今年營收預期分別調升4%及7%、營業利益分別調升5%及15%,評等自「中立」調升至「加碼」,目標價自100元調升至120元,意即股價仍有24%的潛在上漲空間